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        華潤微:工藝平臺持續升級 國產功率龍頭的進擊之路

        2021-10-28 來源:金融界網
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        關鍵詞: 華潤微 工藝平臺 國產

               國內功率半導體IDM龍頭企業華潤微三季度業績延續增長,今年前九個月歸屬于上市公司股東的凈利潤突破16.84億元。

          日前,華潤微公布2021年三季報,今年第三季度公司營業收入24.73億,同比增長35.44%;第三季度歸屬于上市公司股東的凈利潤6.16億,同比增長117.26%。


          產品儲備豐富,第三代半導體取得技術突破

          華潤微是中國領先的擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化經營能力的半導體企業,產品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域,在主要業務領域掌握了一系列具有自主知識產權的核心技術,大部分核心技術為國內領先,其中溝槽型SBD設計及工藝技術、光電耦合和傳感系列芯片設計和制造技術及BCD工藝技術國際領先。

          根據Omdia的統計,2020年度以銷售額計,華潤微在中國MOSFET市場中排名第三,僅次于英飛凌和安森美,是中國本土最大的MOSFET廠商,在功率半導體領域,多項產品的性能、工藝居于國內領先地位。

          近年來,功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場,市場規模呈現穩健增長態勢。Omdia數據預計,2021年中國功率半導體市場規模將達到159億美元,到2024年有望達到190億美元,具有廣闊的國產替代空間。

          而第三代半導體材料則將為行業發展帶來新機遇,第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料,其中最為重要的就是SiC和GaN。據了解,在第三代化合物半導體業務領域,華潤微自主研發的多款6吋第一代650V、1200V SiC JBS產品已經實現量產,并實現銷售突破;其自主研發的第四代 650V SiC JBS 產品實現技術突破,綜合性能達到業界先進水平;平面型1200V SiC MOSFET產出工程樣品,靜態技術參數達到國外對標樣品水平,正在進行可靠性優化,預計年底前產品發布。

          此外,公司自主研發的第一代650V硅基氮化鎵Cascode器件樣品靜態參數達到國外對標水平,正在進行外延材料質量、芯片面積及工藝的優化,以進一步提升器件可靠性和性價比;自主研發的第一代 650V硅基氮化鎵E-mode器件已實現器件功能,正在工藝開發中。

          在車規級產品方面,華潤微積極與國際一流大廠和整車廠對接交流,加快 150V先進中低壓MOS產品的立項研發,持續完善提升車規級產品體系能力,前期導入的兩家汽車電子級產品客戶已逐步起量,未來在汽車電子方面將重點布局第三代化合物半導體和MOSFET,導入更多的汽車電子產品,提升汽車電子產品銷售額占比。


          加大研發力度,內生+外延助力國產龍頭崛起

          半導體行業是一個技術更新換代快的行業,因此,華潤微高度重視技術團隊的建設與研發能力的提升,三季報數據顯示,2021年第三季度,公司研發投入合計2.20億元,同比增長52.58%,占營業收入的比例達8.89%。

          華潤微領先的科研實力也受到了行業和社會的認可,今年接連獲得多個重磅技術獎項,包括“2021年中國半導體行業功率器件十強企業”、“2020年中國半導體制造十大企業”,“2020年中國半導體功率器件十強企業”和“2020年中國半導體MEMS十強企業”等。

          在“修煉內功”之余,華潤微亦注重其“外延”戰略,不斷并購整合擴大業務范圍,覆蓋功率器件全產業鏈環節。華潤微表示,未來外延的方向將重點圍繞功率半導體和智能傳感器相關領域,持續開展外延工作,助推公司實現跨越式發展。

          隨著國家政策為大陸半導體行業創造了良好的發展環境及半導體產業重心向中國的轉移,中國功率半導體行業有望率先實現國產替代,進入高速發展的黃金時期。中國功率半導體企業有望在消費電子、工業控制、汽車電子等領域實現依次突破,國產替代進程正不斷加速。

          作為國內功率半導體領域的龍頭企業,憑借深厚的技術研發實力與領先的IDM經營能力,華潤微將在行業國產替代的黃金期中進一步鞏固市場地位,持續提升公司的國際競爭力。光大證券分析師劉凱在研報中指出,長期來看,在“內生+外延”的雙重發展軌道下,華潤微有望復制英飛凌的崛起。



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