GaN快充市場(chǎng)賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國(guó)產(chǎn)能擴(kuò)充
隨著蘋(píng)果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機(jī)、筆記本電腦為代表的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)迎來(lái)了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點(diǎn)。近兩年來(lái)，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬(wàn)只。然而，這僅僅只是開(kāi)端。
Yole Développement的最新調(diào)研報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)2026年全球GaN功率器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到11億美元；在2020-2026年期間，該市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到70%，其中消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)是主要驅(qū)動(dòng)力。為了適應(yīng)GaN功率器件的大規(guī)模量產(chǎn)需求，除了襯底外延等相關(guān)制造設(shè)備之外，針對(duì)功率器件關(guān)鍵工序的沉積鍍膜設(shè)備也迎來(lái)了更龐大的市場(chǎng)需求以及量產(chǎn)化的全新挑戰(zhàn)。
Yole Développement針對(duì)GaN功率器件的市場(chǎng)預(yù)測(cè)
把握氮化鎵市場(chǎng)拐點(diǎn)，SRII量產(chǎn)型ALD設(shè)備拓展中國(guó)第三代半導(dǎo)體龍頭客戶(hù)
對(duì)于GaN功率器件的制造商而言，擴(kuò)充產(chǎn)能是當(dāng)前的重中之重。對(duì)此，思銳智能推出了業(yè)界領(lǐng)先的量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Beneq Transform?系列，憑借成熟、穩(wěn)定的多片沉積工藝，能夠?yàn)楦叨藨?yīng)用的行業(yè)客戶(hù)提供卓越的沉積鍍膜生產(chǎn)效率，以及傳統(tǒng)工藝無(wú)法企及的鍍膜均勻性、納米級(jí)膜厚精準(zhǔn)控制等優(yōu)勢(shì)，進(jìn)而助力產(chǎn)能擴(kuò)充的需求。
事實(shí)上，思銳智能近期成功交付了一套最新的Beneq Transform? Lite設(shè)備，幫助中國(guó)市場(chǎng)的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶(hù)加速其GaN產(chǎn)線的擴(kuò)充。“客戶(hù)的產(chǎn)線正處于中試到相當(dāng)規(guī)模量產(chǎn)的切入點(diǎn)，”思銳智能團(tuán)隊(duì)說(shuō)，“我們擁有非常豐富的沉積工藝經(jīng)驗(yàn)，在與客戶(hù)進(jìn)行技術(shù)對(duì)接之后，Transform?Lite設(shè)備的技術(shù)先進(jìn)性與量產(chǎn)化優(yōu)勢(shì)迅速獲得了客戶(hù)的認(rèn)可，這很激動(dòng)人心！接下來(lái)，我們將幫助客戶(hù)完成沉積工藝延伸產(chǎn)線的搭建以及相關(guān)的量產(chǎn)調(diào)試。“
Beneq TransformTM Lite設(shè)備進(jìn)場(chǎng)照片
以ALD工藝打破應(yīng)用邊界，TransformTM獨(dú)創(chuàng)技術(shù)加速超摩爾應(yīng)用產(chǎn)能提升
盡管ALD鍍膜工藝對(duì)于GaN功率器件的性能提升有著顯著的增益，但其實(shí)ALD技術(shù)在GaN射頻器件、光器件以及MEMS等超摩爾應(yīng)用領(lǐng)域中同樣能夠“大展拳腳”。ALD本身屬于通用型技術(shù)，其低溫沉積特性、保形性以及均勻性十分優(yōu)異，相較傳統(tǒng)的鍍膜工藝如CVD、PVD等具備獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
思銳智能旗下Beneq品牌推出的Transform?系列設(shè)備，在掌握ALD技術(shù)的基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)之外，運(yùn)用靈活的工程思維，率先加入了預(yù)加熱技術(shù)。由于增加了預(yù)加熱模塊，ALD設(shè)備的常規(guī)升溫時(shí)間顯著縮短。并且熱法工藝與等離子工藝可在同一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)，反應(yīng)腔可容納的晶圓數(shù)量也提升至25片。這樣整體計(jì)算下來(lái)，產(chǎn)能的增長(zhǎng)超過(guò)了50%。這對(duì)于量產(chǎn)階段的客戶(hù)具有非常大的優(yōu)勢(shì)。自此，業(yè)界對(duì)于ALD沉積速率偏慢的刻板印象已經(jīng)被打破！
通過(guò)加入預(yù)加熱模塊，可有效減少升溫時(shí)間
目前，Transform?系列設(shè)備最高可支持8”晶圓的沉積鍍膜需求，并向下兼容3”、4”以及6”等不同晶圓尺寸的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)明年，思銳智能將會(huì)進(jìn)一步豐富產(chǎn)品線，不斷拓展應(yīng)用領(lǐng)域，為客戶(hù)提供創(chuàng)新、靈活、多樣化的一站式ALD解決方案。
