Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件， 實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性

3.3kV碳化硅MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍

牽引功率單元（TPU）、輔助動(dòng)力裝置（APU）、固態(tài)變壓器（SST）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要借助高壓開(kāi)關(guān)技術(shù)來(lái)提高效率和可靠性，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出業(yè)界導(dǎo)通電阻【RDS(on)】最低的3.3 kV碳化硅MOSFET和額定電流最高的碳化硅SBD，讓設(shè)計(jì)人員可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip擴(kuò)大的碳化硅產(chǎn)品組合為電氣化交通、可再生能源、航空航天和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)更小、更輕和更高效的解決方案提供了便利。

許多基于硅的設(shè)計(jì)在提高效率、降低系統(tǒng)成本和應(yīng)用創(chuàng)新方面已經(jīng)達(dá)到極限。雖然高壓碳化硅為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)提供了一種有效的替代方案，但到目前為止，3.3 kV碳化硅功率器件的市場(chǎng)供應(yīng)仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模塊和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器等碳化硅解決方案， 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使這一系列解決方案更加豐富。

Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括業(yè)界最低導(dǎo)通電阻為25毫歐（mOhm）的MOSFET和業(yè)界最高額定電流為90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封裝形式。這些更強(qiáng)的性能水平能夠幫助設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，創(chuàng)建功率更高的系統(tǒng)，并使用更少的并聯(lián)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)更小、更輕和更高效的電源解決方案。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：“我們專注于開(kāi)發(fā)能為客戶提供快速實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新能力的解決方案，并幫助其最終產(chǎn)品更快地取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。我們?nèi)碌?.3 kV碳化硅功率產(chǎn)品系列能夠讓客戶輕松、快速而充滿信心地采用高壓碳化硅，與基于硅的設(shè)計(jì)相比，這一激動(dòng)人心的技術(shù)帶來(lái)的諸多優(yōu)勢(shì)能讓客戶從中受益?！?/span>

在過(guò)去三年里，Microchip已經(jīng)發(fā)布了數(shù)百款碳化硅功率器件和解決方案，確保設(shè)計(jì)人員能夠找到滿足其應(yīng)用需求的合適的電壓、電流和封裝。Microchip在設(shè)計(jì)所有碳化硅MOSFET和SBD時(shí)都把客戶的信任放在心中，提供業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品耐用性和可靠性。公司遵循由客戶決定何時(shí)停產(chǎn)的慣例，只要客戶需要，Microchip就會(huì)繼續(xù)生產(chǎn)這些產(chǎn)品。

客戶可以將Microchip 的碳化硅產(chǎn)品與公司的其他器件相結(jié)合，包括8位、16位和32位單片機(jī)（MCU）、電源管理器件、模擬傳感器、觸摸和手勢(shì)控制器以及無(wú)線連接解決方案，從而以較低的系統(tǒng)總成本構(gòu)建完整的系統(tǒng)解決方案。