三星12層HBM4發(fā)布在即，年內(nèi)量產(chǎn)劍

存儲芯片戰(zhàn)場硝煙再起，三星電子強勢出招，試圖奪回被對手搶占的高帶寬內(nèi)存市場高地。

十年磨一劍，三星電子在其HBM領(lǐng)域迎來關(guān)鍵突破。近日，三星官方宣布將在10月27日至31日舉辦的2025三星科技展上正式發(fā)布第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計劃于今年晚些時候啟動量產(chǎn)。

SK海力士在2025年第一季度首次以38.7%的營收市場份額超越三星，成為全球DRAM市場的第一名。這一轉(zhuǎn)變主要得益于人工智能（AI）市場對高帶寬內(nèi)存（HBM）需求的激增，SK海力士在此領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位。三星的份額在此期間有所下降，盡管其在傳統(tǒng)DRAM和NAND市場仍具優(yōu)勢，但在高附加值的HBM市場失去了領(lǐng)先地位。如今，三星試圖通過HBM4的技術(shù)突破重新奪回市場主動權(quán)。

HBM4并非簡單的產(chǎn)品迭代，而是內(nèi)存技術(shù)的革命性進步。根據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2025年4月通過的JESD270-4規(guī)范，HBM4標(biāo)準(zhǔn)引入了多項關(guān)鍵升級。

最核心的變革是接口位寬從HBM3的1024位直接翻倍至2048位，通道數(shù)量也從16個增至32個。這一設(shè)計為數(shù)據(jù)傳輸修建了一條“超級高速公路”，使帶寬提升至驚人的2TB/s。

三星HBM4采用10納米級第六代（1c）DRAM工藝，并在12層堆疊結(jié)構(gòu)中集成了邏輯芯片。通過先進的3D堆疊技術(shù)和硅通孔工藝，三星成功實現(xiàn)了帶寬的飛躍。這種高帶寬的HBM4是為滿足AI和高性能計算（HPC）的需求而設(shè)計的，是新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

三星HBM4的量產(chǎn)計劃已然清晰。公司計劃在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技術(shù)展覽會上亮相其第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計劃今年晚些時候進入量產(chǎn)階段。

為確保供應(yīng)鏈安全，三星已與ASML簽訂長期協(xié)議，鎖定TWINSCAN NXE:3600D極紫外光刻機的穩(wěn)定供應(yīng)，同時與杜邦達成戰(zhàn)略合作，保障封裝材料的三年穩(wěn)定供應(yīng)。

HBM4市場的競爭已成三足鼎立之勢。SK海力士此前已宣布計劃在2025年下半年量產(chǎn)HBM4，并為英偉達的Rubin GPU平臺提供支持。美光也在加速HBM4的研發(fā)，計劃于2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。

當(dāng)前的市場格局對三星來說壓力不小。根據(jù)行業(yè)追蹤機構(gòu)Counterpoint Research編制的數(shù)據(jù)，三星電子在4月至6月期間占據(jù)了全球HBM芯片市場17%的份額，低于美光科技的21%。但隨著三星HBM4的推出，這一格局可能面臨重塑。

三星的逆襲之路已經(jīng)開始。今年8月，三星交付給英偉達的HBM4樣品已通過可靠性測試。這一進展意義重大，因為英偉達是目前AI芯片市場的絕對主導(dǎo)者。

有消息稱，英偉達CEO黃仁勛將于10月28日至31日出席在韓國舉行的APEC CEO峰會，并會見三星及SK海力士等關(guān)鍵內(nèi)存芯片供應(yīng)商的高管。這次會面可能對未來HBM4供應(yīng)鏈格局產(chǎn)生重要影響。英偉達表示：“黃仁勛將參與多項活動，以強調(diào)英偉達通過人工智能、機器人技術(shù)、數(shù)字孿生和自動駕駛汽車推動韓國及全球技術(shù)進步和增長所做的工作。”但聲明未提供具體細節(jié)。

HBM4的推出不僅是內(nèi)存技術(shù)的重大突破，更是AI算力革命的關(guān)鍵推動力。隨著生成式AI和大語言模型的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求呈指數(shù)級增長。

以GPT-4為代表的萬億參數(shù)大模型，每次訓(xùn)練需要處理海量數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)已成為制約AI算力提升的“內(nèi)存墻”。HBM4的高帶寬特性正是突破這一瓶頸的關(guān)鍵所在。

HBM4將為AI訓(xùn)練和推理帶來多方面的提升。更高的帶寬意味著數(shù)據(jù)傳輸速度更快，可以顯著縮短AI模型的訓(xùn)練時間。更大的容量支持更復(fù)雜的模型和更大規(guī)模的數(shù)據(jù)集，有助于提升模型的準(zhǔn)確性和泛化能力。

HBM4的量產(chǎn)將帶動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的升級與變革。從設(shè)備制造到材料供應(yīng)，從芯片設(shè)計到封裝測試，HBM4將為產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)帶來新的增長機遇。

對于AI芯片制造商而言，HBM4的到來將催生新一代高性能處理器。英偉達計劃在2026年推出基于HBM4的Vera Rubin GPU，而AMD也將在MI400系列中采用HBM4技術(shù)。這些新一代AI芯片將進一步提升計算密度和能效。

全球HBM市場格局正在重塑。三星計劃通過平澤P4廠及華城17產(chǎn)線進行1c DRAM的設(shè)備投資與制程轉(zhuǎn)換，其中平澤P4廠將承擔(dān)70%的HBM4初期產(chǎn)能。Counterpoint Research預(yù)測，隨著HBM4的量產(chǎn)，三星的HBM市場份額有望從2025年的17%提升至2026年的30%。

HBM4技術(shù)將成為未來AI算力競賽的核心支撐。隨著更大參數(shù)規(guī)模的AI模型出現(xiàn)，對內(nèi)存帶寬和容量的需求將持續(xù)增長。三星、SK海力士和美光之間的競爭將推動HBM技術(shù)向更高性能、更高能效方向發(fā)展。盡管在2025年第二季度，三星的HBM市場份額曾落后于SK海力士和美光，但隨著HBM4的量產(chǎn)，行業(yè)追蹤機構(gòu)Counterpoint Research預(yù)測，三星的HBM市場份額有望在2026年提升至30%，重新奪回市場高地。

責(zé)編：Amy.wu