SK海力士公布技術(shù)路線圖，轉(zhuǎn)型“全棧AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”

近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”（Full Stack AI Memory Creator）轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略新愿景，在迎接下一個(gè)AI時(shí)代之前，SK 海力士能深化其角色。 

這一轉(zhuǎn)變意味著SK海力士將從傳統(tǒng)的“全棧存儲(chǔ)供應(yīng)商”角色演進(jìn)為與客戶共同創(chuàng)新的“共同架構(gòu)師、合作伙伴和生態(tài)貢獻(xiàn)者”。SK海力士將更深入地參與到客戶的早期設(shè)計(jì)階段，共同解決技術(shù)挑戰(zhàn)，提供定制化的內(nèi)存解決方案（例如定制 HBM），并積極推動(dòng)整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展與合作，而不僅僅是銷售硬件。

郭魯正指出，AI的加速應(yīng)用導(dǎo)致信息流量爆炸性增長，但存儲(chǔ)性能未能與處理器進(jìn)步保持同步，形成所謂的 “存儲(chǔ)墻”障礙。為此，存儲(chǔ)芯片不再只是普通元件，而是AI產(chǎn)業(yè)中的核心價(jià)值產(chǎn)品。 

新戰(zhàn)略愿景：從供應(yīng)商到共同創(chuàng)造者 

SK海力士的新戰(zhàn)略基于對(duì)AI時(shí)代存儲(chǔ)需求的深刻洞察。郭魯正強(qiáng)調(diào)，隨著AI市場(chǎng)從商品化擴(kuò)展到推理效率優(yōu)化，單純的“供應(yīng)商”角色已不足以滿足市場(chǎng)需求。

SK海力士將作為共同架構(gòu)師，在AI計(jì)算領(lǐng)域超越客戶期望，通過生態(tài)系統(tǒng)合作解決客戶面臨的挑戰(zhàn)。 

這一轉(zhuǎn)型反映了存儲(chǔ)芯片在AI產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值地位的變化。存儲(chǔ)芯片不再是計(jì)算單元的附屬品，而是影響AI系統(tǒng)整體性能的核心要素。 

SK集團(tuán)董事長崔泰元在會(huì)上表示：“AI競(jìng)爭(zhēng)應(yīng)該從規(guī)模之爭(zhēng)轉(zhuǎn)向效率之爭(zhēng)，如果我們繼續(xù)只關(guān)注規(guī)模，將會(huì)耗費(fèi)巨資并造成效率低下。” 

產(chǎn)品路線圖：2026-2031年全棧布局 

SK海力士公布了詳細(xì)的產(chǎn)品路線圖，涵蓋了從2026年至2031年的時(shí)間跨度。 

2026-2028年，定制化HBM與AI專用存儲(chǔ)落地 。

在HBM方面，SK海力士將推出HBM4 16層堆疊產(chǎn)品，并從HBM4E開始供應(yīng)定制化HBM解決方案。定制化HBM通過將協(xié)議和控制器從XPU芯片移至HBM基礎(chǔ)裸片，為計(jì)算單元釋放更多空間，顯著降低接口能耗。 

在DRAM領(lǐng)域，公司將推出LPDDR5R和LPDDR6等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，同時(shí)引入全新的AI DRAM產(chǎn)品線。 

NAND方面將推出PCIe Gen6企業(yè)級(jí)與客戶端固態(tài)硬盤，以及UFS 5.0等標(biāo)準(zhǔn)解決方案。 

2029-2031年，HBM5與3D DRAM問世。中長期規(guī)劃中，SK海力士將全面進(jìn)入HBM5世代。 

通用DRAM領(lǐng)域?qū)⒖吹较乱淮?span style="font-size: 16px; font-family: 微軟雅黑, "Microsoft YaHei"; box-sizing: border-box; margin: 0px; padding: 0px; font-weight: 700;">GDDR7、DDR6以及晶體管結(jié)構(gòu)發(fā)生重大變化的3D DRAM面世。NAND部分將實(shí)現(xiàn)400層以上堆疊，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等產(chǎn)品。 

三大產(chǎn)品矩陣破解AI存儲(chǔ)瓶頸 

為實(shí)現(xiàn)新愿景，SK海力士推出了三大核心產(chǎn)品矩陣，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。這樣的布局將取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案多半以計(jì)算為中心的情況，改以朝向多元化和擴(kuò)展存儲(chǔ)功能的方向發(fā)展，目標(biāo)是達(dá)成更高效的運(yùn)算資源使用，并從結(jié)構(gòu)上解決AI 推論瓶頸。

定制化HBM：最大化芯片性能 

定制化HBM是將GPU和ASIC特定功能整合到HBM基礎(chǔ)裸片上的產(chǎn)品，能夠最大化GPU和ASIC性能，同時(shí)通過HBM減少數(shù)據(jù)傳輸功耗。 

SK海力士的12層HBM4樣品已實(shí)現(xiàn)2TB/s帶寬，較前代提升60%以上，計(jì)劃2025下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備。目前，SK海力士占據(jù)全球HBM市場(chǎng)50%以上份額，是英偉達(dá)AI GPU的HBM3/HBM3E獨(dú)家供應(yīng)商，2025-2026年HBM產(chǎn)能已全部售罄。 

AI DRAM：三大方向解決不同場(chǎng)景需求 

SK海力士將AI DRAM細(xì)分為三個(gè)方向： 

1、AI-D O（Optimization）的優(yōu)化，這是一種低功耗、高性能的DRAM，旨在降低總體擁有成本（TCO）并提高運(yùn)營效率。該解決方案包括MRDIMM、SOCAMM以及LPDDR5R。

2、AI-D B（Breakthrough）的突破，這是面向克服“內(nèi)存墻”的解決方案產(chǎn)品。其特點(diǎn)是超高容量?jī)?nèi)存和靈活的內(nèi)存分配。該類別包含CMM和PIM。

3、AI-D E（Expansion）的擴(kuò)展，目的是擴(kuò)展DRAM的使用案例，不僅限于數(shù)據(jù)中心，還擴(kuò)展至機(jī)器人、移動(dòng)性（mobility）和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。該解決方案包含HBM。

AI NAND：三重維度重構(gòu)存儲(chǔ)性能 

AI NAND戰(zhàn)略分為三個(gè)方向： 

1、AI-N P（Performance）提高性能，強(qiáng)調(diào)超高性能的解決方案，旨在有效處理大規(guī)模AI推理任務(wù)產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。通過將存儲(chǔ)與AI運(yùn)算之間的瓶頸降至最低，顯著提高了處理速度和能源效率。SK海力士計(jì)劃設(shè)計(jì)具有新結(jié)構(gòu)的NAND和控制器，并目標(biāo)在2026年底前發(fā)布樣品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大帶寬，通過垂直堆疊半導(dǎo)體晶粒來擴(kuò)大帶寬，作為彌補(bǔ)HBM容量增長限制的解決方案。其關(guān)鍵在于將HBM的堆疊結(jié)構(gòu)與高密度且具成本效益的NAND閃存結(jié)合。

3. AI-N D（Density）發(fā)展密度，通過達(dá)成超高容量來增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力。這是一種高密度解決方案，適用于以低功耗和低成本存儲(chǔ)大量AI數(shù)據(jù)。SK海力士的目標(biāo)是將密度從目前基于QLC的固態(tài)硬盤（SSD）的太字節(jié)（TB）級(jí)別提高到拍字節(jié)（PB）級(jí)別，并實(shí)現(xiàn)一種結(jié)合SSD速度和HDD成本效益的中端存儲(chǔ)解決方案。

合作生態(tài)：與全球巨頭深度綁定 

SK海力士的轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略強(qiáng)調(diào)與全球科技領(lǐng)袖的合作關(guān)系。 

郭魯正強(qiáng)調(diào)：“在AI時(shí)代，預(yù)計(jì)那些通過與客戶和合作伙伴合作，創(chuàng)造更強(qiáng)大協(xié)同效應(yīng)和卓越產(chǎn)品的公司將會(huì)取得成功。” 

SK海力士與英偉達(dá)在HBM供應(yīng)和數(shù)字孿生技術(shù)方面深化合作，利用NVIDIA Omniverse優(yōu)化晶圓廠生產(chǎn)效率。 

與臺(tái)積電合作開發(fā)下一代HBM所需的邏輯制程基底芯粒。與OpenAI建立長期高性能內(nèi)存供應(yīng)關(guān)系，滿足其大規(guī)模AI基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目“星際之門”的需求。 

SK集團(tuán)董事長崔泰元透露，OpenAI最近向SK海力士提出每月提供90萬片HBM晶圓的需求，這約等于全球所有公司HBM每月總產(chǎn)能的兩倍。 

產(chǎn)能擴(kuò)張應(yīng)對(duì)供應(yīng)瓶頸 

面對(duì)全球AI存儲(chǔ)芯片供不應(yīng)求的局面，SK海力士正積極擴(kuò)大產(chǎn)能。 

SK集團(tuán)將擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能并提升技術(shù)。預(yù)計(jì)于2027年投產(chǎn)的全新龍仁半導(dǎo)體集群，其產(chǎn)能相當(dāng)于24座M15X晶圓廠——這是SK海力士最大的HBM芯片工廠。 

同時(shí)，在美國印第安納州建設(shè)先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，集中制造下一代HBM等AI存儲(chǔ)器產(chǎn)品。 

2025年上半年，SK海力士已超越三星，以38.7%的營收份額登頂全球DRAM市場(chǎng)，HBM業(yè)務(wù)的高溢價(jià)效應(yīng)進(jìn)一步提升其盈利能力。 

SK海力士的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型預(yù)示著AI存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段。隨著定制化HBM、AI DRAM和AI NAND三大產(chǎn)品矩陣的逐步落地，SK海力士正試圖重新定義存儲(chǔ)在AI時(shí)代的作用與價(jià)值。 

SK集團(tuán)董事長崔泰元自信地表示：“SK海力士的技術(shù)能力已經(jīng)在業(yè)內(nèi)得到了充分的證明，就連英偉達(dá)CEO黃仁勛也不再詢問我們的開發(fā)速度了。” 

隨著2026年首批新一代產(chǎn)品的上市，AI存儲(chǔ)市場(chǎng)格局或?qū)⒂瓉硇乱惠喯磁啤?nbsp;

責(zé)編：Amy.wu