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        • JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片

          JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片

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          2025-08-06 閱讀:297 關鍵詞: JSM2203STR FD2203 柵極驅動芯片 電機控制 替代方案
        • JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片

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          2025-08-06 閱讀:264 關鍵詞: JSM2203STR FD2203 柵極驅動芯片 電機控制 替代方案
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          JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片

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          2025-08-06 閱讀:305 關鍵詞: JSM2203STR FD2203 柵極驅動芯片 電機控制 替代方案
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          JSM2203STR 4A 250V集成自舉半橋高同低反柵極驅動芯片

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        • JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片

          JSM2008STR PBF250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片

          在功率電子領域,半橋驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”,其性能直接決定了整個系統的穩定性、效率與可靠性。杰盛微半導體推出的JSM2008STR作為一款 250V 集成自舉帶 SD 功能的半橋驅動芯片,不僅繼承了 IRS2008STR 的核心優勢,更在兼容性與實用性上實現了無縫替代,成為高壓 MOSFET 驅動場景的理想選擇。本文將基于數據手冊,從性能特性、電氣規格、設計要點到應用場景進行全面解析。
        • JSM2003STR250V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

          JSM2003STR250V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

          在電力電子領域,功率驅動芯片猶如 “神經中樞”,直接決定著功率器件的開關效率、系統穩定性與安全可靠性。隨著電機控制、智能家電、逆變器等領域對高性能驅動芯片的需求激增,一款能兼容經典型號、且在性能上實現突破的驅動芯片,成為工程師們的迫切需求。 杰盛微(JSMSEMI)深耕功率半導體領域多年,重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片,不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經典型號,更在可靠性、效率與適配性上實現全面升級,為工業與消費電子領域提供了更優解。
          2025-08-01 閱讀:530 關鍵詞: JSM2003STR 功率驅動芯片 國產替代 電機控制 性能升級
        • JSM5109G1.2A 250V單相高低側同相柵極驅動芯片

          JSM5109G1.2A 250V單相高低側同相柵極驅動芯片

          在電機控制、逆變器等電力電子系統中,柵極驅動芯片就像 “神經中樞”,負責精準控制功率 MOSFET 的開關狀態。選對驅動芯片,系統效率能提升 15% 以上,故障率降低 30%;選錯了,則可能面臨頻繁宕機、功耗飆升等問題。 今天,杰盛微要給大家推薦一款 “全能選手”JSM5109G。作為 1.2A 250V 單相高低側同相柵極驅動芯片,它不僅能完美替代 U3116S、EG2132,更在性能、可靠性、兼容性上實現了 “越級” 表現。
          2025-07-31 閱讀:587 關鍵詞: JSM5109G 柵極驅動芯片 國產替代 電機控制 半導體
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