美國的“陽謀”：讓中國芯設(shè)計(jì)卡死在3nm，制造卡死在10nm

眾所周知，這幾年中國芯片產(chǎn)業(yè)的不斷崛起，特別是制造上，不斷突破，產(chǎn)能急劇提升，在2020年的時(shí)候，晶圓產(chǎn)能占全球的16％，已經(jīng)超過了美國12％。

而按照機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)到2030年時(shí)，中國晶圓產(chǎn)能會(huì)高達(dá)24％，而美國會(huì)降為10％，不足中國大陸的二分之一，這讓美國大為緊張，所以最近針對(duì)中國芯片產(chǎn)業(yè)，美國又下死手了。

中美晶圓產(chǎn)能對(duì)比

從當(dāng)前的情況來看，美國下手，分為三個(gè)方面。一是利用520億美元的芯片補(bǔ)貼，拉攏芯片巨頭，到美國設(shè)廠，并不準(zhǔn)拿補(bǔ)貼的廠商，10年內(nèi)到中國大陸投資高端芯片，以此鎖死中國高端芯片10年。

二是對(duì)EDA進(jìn)行封禁，直接將開發(fā)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路必須用到的EDA（電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)）軟件，被列入管制范圍。

三是對(duì)14nm及以下的所有設(shè)備，都不準(zhǔn)賣到中國大陸來，從制造領(lǐng)域進(jìn)行打壓。

而美國這三個(gè)舉措背后，其實(shí)是美國當(dāng)前的最大“陽謀”，也不遮著掩著，那就是“想讓中國大陸的芯片設(shè)計(jì)卡死在 3nm，制造卡死在 10nm，然后拉開中美在高速運(yùn)算、人工 AI 等方面的距離。”。

先說設(shè)計(jì)卡死在3nm這一塊，因?yàn)楫?dāng)芯片進(jìn)入到3nm時(shí)，三星已經(jīng)使用了GAAFET晶體管，而臺(tái)積電在2nm時(shí)也會(huì)使用GAAFET晶體管。

一旦GAAFET晶體管設(shè)計(jì)使用的EDA不準(zhǔn)中國大陸廠商使用，那么大家基本上芯片設(shè)計(jì)水平，差不多就卡在了3nm，很難進(jìn)入到3nm所需的GAAFET技術(shù)上來了。

再說制造方面，當(dāng)前中國大陸最先進(jìn)的工藝是FinFET技術(shù)，也就是中芯的14nm，早已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。但美國當(dāng)前想要禁止14nm及以下的半導(dǎo)體設(shè)備禁運(yùn)。

那么我們就只能停留在14nm，很難再進(jìn)前一步到10nm了，畢竟當(dāng)前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備能夠支持的工藝，大多在28nm，少部分在14nm，只有刻蝕機(jī)到了3nm，要補(bǔ)的課還太多，短時(shí)間無法突破。

可見，中國要發(fā)展高端芯片，不只是芯片制造環(huán)節(jié)要突破，還包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備及材料環(huán)節(jié)，以及芯片輔助設(shè)計(jì)工具（EDA）軟件，只有芯片上下游的每一步都要走得扎實(shí)，才能夠突破封測(cè)，路還很長(zhǎng)。