美日荷剛聯(lián)手，中企就有三項(xiàng)突破！外媒：太快了

近日消息顯示，美方拉攏日、荷共同實(shí)施限制，似乎取得了新的進(jìn)展。據(jù)ASML方面確認(rèn)，已經(jīng)達(dá)成了一定協(xié)議，將會(huì)限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口，尤其是DUV光刻機(jī)。

之前是限制EUV光刻機(jī)，如今又想限制DUV光刻機(jī)，目的就是限制我們的高端芯片制造發(fā)展，以阻撓我們高科技發(fā)展。但似乎并沒(méi)有達(dá)到目的，我們一直在不斷突破！

就比如華為，受到的限制夠厲害吧，美方連續(xù)實(shí)施了四輪以上的制裁，讓英特爾、高通等斷供高端芯片，讓臺(tái)積電停止代工芯片，還讓谷歌斷供安卓系統(tǒng)和GMS服務(wù)。

即使這樣，華為也沒(méi)有倒下，還在繼續(xù)前進(jìn)，并且渡過(guò)了難關(guān)，已經(jīng)開(kāi)始轉(zhuǎn)危為安。

最困難的手機(jī)業(yè)務(wù)也挺了過(guò)來(lái)，去年在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)還拿下了7.9%的市場(chǎng)份額，不得已分離出去的榮耀還是唯一實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的品牌，可見(jiàn)華為系實(shí)力，如果不是限制會(huì)多厲害。

再比如中芯國(guó)際，自從成立以來(lái)，似乎就一直伴隨著西方的限制，因?yàn)樗麄兙筒幌胛覀儼l(fā)展高端芯片制造，即使這樣也做到了全球第五，擁有了14nm、7nm制程實(shí)力。

如果不是2018年訂購(gòu)的EUV被限制出貨，恐怕中芯國(guó)際將會(huì)全球第三家量產(chǎn)7nm。

如今，美方又不斷加碼限制，之前限制10nm以下，現(xiàn)在又限制14nm以下。于是，中芯國(guó)際把發(fā)展重點(diǎn)轉(zhuǎn)向28nm成熟制程，爭(zhēng)取在這個(gè)層面拿下最大的芯片需求。

這次達(dá)成的協(xié)議限制DUV，可能會(huì)影響中芯國(guó)際的擴(kuò)產(chǎn)，但困難是暫時(shí)的。這只會(huì)讓我們丟掉幻想，全力攻堅(jiān)國(guó)產(chǎn)28nm光刻機(jī)，或許在壓力之下，研發(fā)進(jìn)展反而更快。

要知道，這么多年以來(lái)，我們哪項(xiàng)重點(diǎn)突破，不是在西方全面封鎖的環(huán)境下，國(guó)人奮發(fā)進(jìn)取取得突破的，像盾鉤機(jī)、北斗衛(wèi)星、國(guó)際空間站等，多么艱難都實(shí)現(xiàn)突破了。

西方的封鎖限制長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看對(duì)我們就是機(jī)會(huì)，如今美日荷剛聯(lián)手，中企就有三項(xiàng)突破！

第一，3nm光子芯片技術(shù)突破。近日有消息顯示，我國(guó)中科院在光子芯片方面獲得重大進(jìn)展，就是3nm光子芯片晶體管技術(shù)取得突破，有助于實(shí)現(xiàn)3nm光子芯片量產(chǎn)。

據(jù)說(shuō)，北京中科芯通去年就在籌建一條光子芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年將能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。

光子芯片雖然跟電子芯片不同，但能夠滿足通信、數(shù)據(jù)中心等多個(gè)領(lǐng)域的需求。而電子芯片雖然是目前主流，但已經(jīng)發(fā)展到極限，光子芯片是未來(lái)的芯片發(fā)展方向之一。

第二，OLED關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化。之前我們是“缺芯少屏”，后來(lái)在京東方等中企的努力下，國(guó)產(chǎn)屏幕不斷實(shí)現(xiàn)突破，LCD出貨量已經(jīng)拿下全球第一，OLED也正在追趕。

三星在手機(jī)OLED屏上領(lǐng)先，LG在OLED大屏上領(lǐng)先，京東方在手機(jī)OLED屏上僅次于三星，但關(guān)鍵材料還受制于人。近日，國(guó)產(chǎn)廠商打破日本壟斷，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)突破。

寰采星科技成功量產(chǎn)OLED面板所需要的關(guān)鍵材料FMM，將助力國(guó)產(chǎn)OLED屏發(fā)展。

第三， 5G小基站實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。近年來(lái)，三大運(yùn)營(yíng)商不只在運(yùn)營(yíng)通信業(yè)務(wù)，也紛紛投入研發(fā)。中國(guó)電信近日正式宣布消息，5G擴(kuò)展型小基站國(guó)產(chǎn)化pRRU已研發(fā)成功。

重點(diǎn)是，該5G小基站的芯片和器件國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到100%，完全實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化。

不僅如此，前段時(shí)間日媒發(fā)布消息，對(duì)華為5G小型基站進(jìn)行拆解發(fā)現(xiàn)，國(guó)產(chǎn)器件占比進(jìn)一步提高 ，美企零部件占比已降到了1%。可想而知，限制最后是誰(shuí)的企業(yè)受損。

以上三項(xiàng)突破，似乎并沒(méi)有引起多少關(guān)注，但都非常重要。要知道，整體半導(dǎo)體突破就是由每個(gè)小的突破不斷積累而成的，所以不必?fù)?dān)心限制，越限制我們突破就越多。

光刻機(jī)雖然非常復(fù)雜、技術(shù)非常先進(jìn)，但它也是人造的，連ASML總裁都表示物理定律全球都是一樣的，只要我們集中全力去攻堅(jiān)，相信國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)一定會(huì)盡快突破！

對(duì)于美日荷剛協(xié)議聯(lián)手，中企就宣布三項(xiàng)國(guó)產(chǎn)突破。有外媒直接表示：這太快了！