三星第二代3nm芯片又來(lái)了，已領(lǐng)先臺(tái)積電2代？

眾所周知，去年6月份的最后兩天，三星發(fā)布了自己的3nm工藝，并且采用了當(dāng)前最先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù)，算是實(shí)現(xiàn)了自己2022年上半年量產(chǎn)的承諾，也提前臺(tái)積電半年量產(chǎn)，領(lǐng)先了一回。

不過(guò)雖然3nm芯片是量產(chǎn)了，但坦白說(shuō)，卻量產(chǎn)了個(gè)寂寞，因?yàn)闆](méi)有看到任何一顆量產(chǎn)的3nm芯片推出來(lái)，也沒(méi)有任何一顆3nm與4nm或5nm芯片的比較測(cè)試。

不過(guò)三星也表示過(guò)，3nm芯片性能比5nm提高23%，芯片尺寸縮小16%，同時(shí)由于采用了GAA晶體管技術(shù)，所以柵極電壓降低了，漏電流減少了，功耗低了。

但讓人沒(méi)有想到的是，在經(jīng)過(guò)了這么快一年之后，三星的第一代3nm工藝都還沒(méi)整明白，究竟誰(shuí)用了，有沒(méi)有客戶(hù)，訂單多少都不清楚的情況下，近日又推出了第二代工藝。

這次第二代工藝又有重大突破，這是不再是原先的GAA晶體管技術(shù)了，而是采用了更為先進(jìn)的MBCFET晶體管技術(shù)（也屬于GAA"Gate-all-around"環(huán)繞柵極的一種），在第一代的GAA上又進(jìn)一步優(yōu)化了。

這次三星比較的不再是5nm芯片了，而是4nm芯片了，三星稱(chēng)第二代3nm工藝性能將比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也將縮減21%。

要知道臺(tái)積電的3nm技術(shù)，一直采用的是FinFET晶體管技術(shù)，意思就是三星的這一代3nm工藝，可以說(shuō)已經(jīng)是領(lǐng)先了臺(tái)積電兩代？

三星稱(chēng)，第二代3nm制程將在2024年與臺(tái)積電的先進(jìn)制程技術(shù)上展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)，意思就是這種技術(shù)，目前還只是亮個(gè)相，暫時(shí)不會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)，真正要大規(guī)模量產(chǎn)，可能要到2024年去了。

事實(shí)上，三星發(fā)布了第一代3nm工藝后，外界就質(zhì)疑三星的3nm工藝究竟行不行，因?yàn)槊襟w一直報(bào)道稱(chēng)，三星的工藝良率不行，從5nm開(kāi)始就非常低了，而3nm工藝可能只有20-30%。

這種良率下，IC廠都不敢找三星下單，之前高通在4nm時(shí)轉(zhuǎn)單臺(tái)積電就是一個(gè)最好的例子，所以三星的3nm，也沒(méi)有客戶(hù)，所以我們也沒(méi)看到誰(shuí)推出了采用三星3nm工藝的芯片。

但如今三星再推第二代工藝，不知道這次在良率上有沒(méi)有改善，如果用這種良率與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，那還是比較困難的。