華為麒麟9000S：等同三星7nm，臺(tái)積電7nm，英特爾10nm

眾所周知，我們說(shuō)一款手機(jī)芯片時(shí)，大概率會(huì)提到它是什么工藝，誰(shuí)制造的。比如即將發(fā)布的iPhone15，搭載蘋果A17芯片，采用臺(tái)積電3nm工藝。

這個(gè)工藝數(shù)字越小，一定程度上會(huì)說(shuō)這款芯片越先進(jìn)，比如大家就很明顯的認(rèn)為：3nm>5nm>7nm>10nm>14nm。

不過(guò)大家要注意的是，這個(gè)多少納米工藝，有時(shí)候是不能橫向比較的，只能縱向比較，比如臺(tái)積電的5nm和三星的5nm，可能并不是一回事。

三星的5nm，也未必就一定比英特爾的7nm強(qiáng)，這是因?yàn)楝F(xiàn)在的XX納米，已經(jīng)與以前不一樣了，以前的芯片工藝，是取決于晶體管的柵極長(zhǎng)度，長(zhǎng)度是多少，則工藝是多少。

但后來(lái)晶圓廠們，已經(jīng)不按這個(gè)來(lái)了，臺(tái)積電高管就曾公開承認(rèn)過(guò)，XX納米只是數(shù)字游戲，大家不必太認(rèn)真，晶圓廠們喜歡將數(shù)字搞小一點(diǎn)，是為了營(yíng)銷。

所以，目前很多專業(yè)人士，評(píng)價(jià)芯片工藝時(shí)，一般還會(huì)參考晶體管密度。因?yàn)樾酒删w管組成，同樣面積下，晶體管越多，密度越高，性能就越強(qiáng)。

上圖，就是臺(tái)積電、三星、英特爾這幾大廠商在不同工藝下的晶體管密度，差距一目了然，三星的摻水最嚴(yán)重，特別是在7nm之后，三星的芯片晶體管密度，差了好遠(yuǎn)，而臺(tái)積電次之，英特爾的最嚴(yán)格，密度最高。

那么問(wèn)題來(lái)了，最近華為的麒麟9000S芯片，如果用晶體管密度來(lái)算的話，究竟是什么工藝水平呢？畢竟網(wǎng)友們實(shí)在是太關(guān)心這個(gè)事情了。

國(guó)外機(jī)構(gòu)發(fā)布了麒麟9000S電鏡掃描結(jié)果，其晶體管密度為0.98BTr/mm2，也就是0.98億個(gè)每平方毫米。對(duì)照上圖，很容易就出來(lái)了，大約是臺(tái)積電7nm、三星7nm的水平，甚至密度還高那么一絲絲了。

如果要與英特爾的比的話，從晶體管密度來(lái)看，只等同于英特爾的10nm，甚至還略微的遜色一籌。

這基本可以說(shuō)明，這是一顆7nm的芯片，并且其技術(shù)水平，與三星、臺(tái)積電的7nm水平差不多，畢竟晶體管密度也差不多。

相信這個(gè)結(jié)果，已經(jīng)能夠幫大家解答很多疑惑了，而7nm也是DUV光刻機(jī)制造芯片的極限，采用DUV光刻機(jī)，使用多重曝光工藝，最高能夠制造7nm芯片。